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A Si nano-pillar grown on a Si tip by AFM in UHV for a high-quality scanning probe
http://hdl.handle.net/2297/17496
http://hdl.handle.net/2297/1749695d3370c-2ed5-4943-a3a9-aa8a80977f72
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
SC-PR-ARAI-T-073110.pdf (266.5 kB)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2017-10-03 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | A Si nano-pillar grown on a Si tip by AFM in UHV for a high-quality scanning probe | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| 著者 |
Arai, Toyoko
× Arai, Toyoko× Tomitori, M. |
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| 提供者所属 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 金沢大学理工研究域 数物科学系 | |||||
| 書誌情報 |
Applied Physics Letters 巻 86, 号 7, p. 073110-1-073110-3, 発行日 2005-02-14 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 0003-6951 | |||||
| NCID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA00543431 | |||||
| DOI | ||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||
| 関連識別子 | 10.1063/1.1866213 | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | We grow a Si nanopillar on a commercial Si tip on an atomic force microscopy (AFM) cantilever using AFM in ultrahigh vacuum for a high-quality scanning force probe, and observe noncontact-AFM (nc-AFM) images of Si (111) 7×7 and Ge deposited Si(111) with the nanopillar. We observe it ex situ by transmission electron microscopy to confirm its growth and crystallinity. The nc-AFM image clearly showed the high performance of the nanopillar as a probe with respect to the spatial resolution, image stability, and reproducibility. This nanopillar growth technique can elongate the lifetime of the cantilever and be applied to other materials. © 2005 American Institute of Physics. | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
