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Secular of ESR and Conducivity in Amorphous Silicon Films
https://doi.org/10.24517/00011722
https://doi.org/10.24517/000117229db8c02f-b5a9-4799-a331-e273596fac93
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
AN00044309-11-2-9.pdf (90.8 kB)
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.png)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2017-10-03 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Secular of ESR and Conducivity in Amorphous Silicon Films | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
| ID登録 | ||||||
| ID登録 | 10.24517/00011722 | |||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||
| 著者 |
Hasegawa, Seiichi
× Hasegawa, Seiichi× Yazaki, Shigeo× Shimizu, Tatsuo |
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| 著者別表示 |
長谷川, 誠一
× 長谷川, 誠一× 清水, 立生 |
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| 書誌情報 |
金沢大学工学部紀要 = Memoirs of the Faculty of Technology Kanazawa University 巻 11, 号 2, p. 9-14, 発行日 1978-03-25 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 0022-832X | |||||
| NCID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN00044309 | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 金沢大学工学部 = Faculty of Technology Kanazawa University | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | Annealing behaviors of the ESR signal and the electrical conductivity and the secular change of them are investigated for rf-sputtered amorphous Si films annealed in N₂ or (N₂+H₂) gas. For the samples annealed in (N叶H2) gas, the secular change of the conductivity and the ESR signal was observed. It is suggested that most of spins in samples annealed above 400°C are dangling bonds around crystallites newly produced in the process of crystallization, and that the dangling bonds are easily wiped out with H₂ gas. | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
