WEKO3
インデックスリンク
アイテム
Carrier gas flow rate effects on additive-assisted low-temperature Y2O3 film deposition by atmospheric pressure plasma jet
http://hdl.handle.net/2297/0002003167
http://hdl.handle.net/2297/000200316722d17a6e-49b9-4fe1-ad1b-600a6fa96566
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
https://www.sciencedirect.com/science/article/am/pii/S1369800125001027
Download is available from 2027/2/14.
|
|
| Item type | itemtype_001(1) | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2025-09-01 | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | Carrier gas flow rate effects on additive-assisted low-temperature Y2O3 film deposition by atmospheric pressure plasma jet | |||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||
| 作成者 |
Bat-Orgil Erdenezaya
× Bat-Orgil Erdenezaya
× Md. Shahiduzzaman× Hirochika Uratani
× Ruka Yazawa
× Yusuke Nakano× Yasunori Tanaka× Tetsuya Taima× Tatsuo Ishijima |
|||||||||||
| アクセス権 | ||||||||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||
| 内容記述 | Embargo Period 24 months. Elsevierより許可を得て, リンク先を登録 | |||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||
| 出版者 | Materials Science in Semiconductor Processing/Elsevier | |||||||||||
| 言語 | ||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||
| 出版タイプ | NA | |||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_be7fb7dd8ff6fe43 | |||||||||||
| 関連情報 | ||||||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.1016/j.mssp.2025.109365 | |||||||||||
| 関連情報 | ||||||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||||||||
| 関連識別子 | https://www.sciencedirect.com/science/article/am/pii/S1369800125001027 | |||||||||||
| 収録物識別子 | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | PISSN | |||||||||||
| 収録物識別子 | 1369-8001 | |||||||||||
| 収録物識別子 | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | EISSN | |||||||||||
| 収録物識別子 | 1873-4081 | |||||||||||
| 書誌情報 |
Materials Science in Semiconductor Processing 巻 191, p. 109365, 発行日 2025-02-12 |
|||||||||||
| 提供者所属 | ||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||
| 内容記述 | 金沢大学ナノマテリアル研究所 | |||||||||||
