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  1. K-4. 学術メディア創成センター
  2. k-4 10. 学術雑誌掲載論文
  3. 1. 査読済論文

Formation of finger-like step patterns on a Si(111) vicinal face

https://doi.org/10.24517/00028554
https://doi.org/10.24517/00028554
6f561061-2415-4e2d-8e35-7cd83d110a05
名前 / ファイル ライセンス アクション
INFO-PR-SATO-M-14.pdf INFO-PR-SATO-M-14.pdf (22.9 MB)
license.icon
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2017-10-05
タイトル
タイトル Formation of finger-like step patterns on a Si(111) vicinal face
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
ID登録
ID登録 10.24517/00028554
ID登録タイプ JaLC
著者 Sato, Masahide

× Sato, Masahide

WEKO 213
e-Rad 20306533
金沢大学研究者情報 20306533
研究者番号 20306533

Sato, Masahide

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Kondo, Shinji

× Kondo, Shinji

WEKO 49777

Kondo, Shinji

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Uwaha, Makio

× Uwaha, Makio

WEKO 49718
e-Rad 30183213

Uwaha, Makio

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著者別表示 佐藤, 正英

× 佐藤, 正英

佐藤, 正英

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上羽, 牧夫

× 上羽, 牧夫

上羽, 牧夫

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提供者所属
内容記述タイプ Other
内容記述 金沢大学総合メディア基盤センター
書誌情報 Journal of Crystal Growth

巻 318, 号 1, p. 14-17, 発行日 2011-03-01
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0022-0248
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 1873-5002
NCID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA00696341
DOI
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ DOI
関連識別子 10.1016/j.jcrysgro.2010.10.093
出版者
出版者 Elsevier B.V.
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 During deposition of Ga atoms, the structure of a Si(111) vicinal face is transformed from the 3×3 structure to the 6.3×6.3 structure. The transformation occurs preferentially from the lower side of steps. Since the density of Si atoms needed to form the 6.3×6.3 structure is lower than that to form the 3×3 structure, Si atoms are supplied onto the surface during the structural transition. The steps advance by incorporating the extra adatoms, and show a finger-like wandering pattern (H. Hibino, H. Kageshima, M. Uwaha, Surf. Sci. 602 (2008) 2421). To study the formation of the finger-like pattern, we carry out Monte Carlo simulations. When atoms are supplied immediately in front of a straight step, the step becomes unstable. Step wandering occurs and a step shows a finger-like pattern. The characteristic period of the fingers is consistent with the linear stability analysis and proportional to (β̃/V)1/2, where β̃ is the step stiffness and V is the step velocity (deposition rate). © 2010 Elsevier B.V. All rights reserved.
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 Embargo Period 12 months
著者版フラグ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
関連URI
識別子タイプ URI
関連識別子 http://www.elsevier.com/locate/issn/00220248
関連URI
識別子タイプ URI
関連識別子 http://www.journals.elsevier.com/journal-of-crystal-growth/
関連名称 http://www.journals.elsevier.com/journal-of-crystal-growth/
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Ver.1 2023-07-27 11:02:32.085574
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