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First-principles calculations of vacancies in semiconductors
http://hdl.handle.net/2297/43819
http://hdl.handle.net/2297/4381965725bdf-b0b1-4073-ba68-e112214ea0fd
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
Abstract-N-1223102009-SHOLIHUN.pdf (2.1 MB)
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.png)
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| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2017-10-05 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | First-principles calculations of vacancies in semiconductors | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||
| 資源タイプ | thesis | |||||
| その他のタイトル | ||||||
| 半導体中原子空孔の第一原理計算 | ||||||
| 著者 |
ショリフン
× ショリフン |
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| 著者別表示 |
Sholihun
× Sholihun |
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| 書誌情報 |
博士論文要旨Abstract |
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| 学位授与番号 | ||||||
| 学位授与番号 | 13301甲第4312号 | |||||
| 学位名 | ||||||
| 学位名 | 博士（理学） | |||||
| 学位授与機関 | ||||||
| 学位授与機関名 | 金沢大学 | |||||
| 学位授与年月日 | ||||||
| 学位授与年月日 | 2015-09-28 | |||||
| DOI | ||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.7567/JJAP.54.041301 | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 博士論文要旨Abstract 以下に掲載：Japanese Journal of Applied Physics 54(4) pp.041301-1-041301-4 2015. Institute of Physics (IOP) publishing. 共著者：Sholihun, Mineo Saito, Takahisa Ohno, Takahiro Yamasaki | |||||
| 関連URI | ||||||
| 識別子タイプ | HDL | |||||
| 関連識別子 | http://hdl.handle.net/2297/43825 | |||||
