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CMOS混載相変化不揮発性メモリの設計技術と高性能化に関する研究
http://hdl.handle.net/2297/26699
http://hdl.handle.net/2297/26699e3e865c3-ebc6-43ad-ad97-199a228e0b07
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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| Item type | その他 / Others(1) | |||||
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| 公開日 | 2017-10-05 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | CMOS混載相変化不揮発性メモリの設計技術と高性能化に関する研究 | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_1843 | |||||
| 資源タイプ | other | |||||
| 著者 |
高田, 雅史
× 高田, 雅史 |
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| 著者別名 | ||||||
| 値 | Takata, Masashi | |||||
| 書誌情報 |
博士学位論文要旨 論文内容の要旨および論文審査結果の要旨/金沢大学大学院自然科学研究科 巻 平成19年9月, p. 134-140, 発行日 2007-09-01 |
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| 出版者 | ||||||
| 出版者 | 金沢大学 | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 取得学位:博士(工学),学位授与番号:博甲第861号,学位授与年月日:平成19年3月22日 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||