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Deposition of Films with Low Dielectric Constant by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
http://hdl.handle.net/2297/16329
http://hdl.handle.net/2297/1632972fb1ddc-b863-4d34-8ef8-7335546a40a5
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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Item type | その他 / Others(1) | |||||
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公開日 | 2017-10-05 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | Deposition of Films with Low Dielectric Constant by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition | |||||
言語 | ||||||
言語 | eng | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_1843 | |||||
資源タイプ | other | |||||
その他のタイトル | ||||||
その他のタイトル | プラズマ-エンハンスト化学気相成長法による低誘電率薄膜の堆積 | |||||
著者 |
Lubguban, Jorge A.Jr
× Lubguban, Jorge A.Jr |
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書誌情報 |
博士学位論文要旨 論文内容の要旨および論文審査結果の要旨/金沢大学大学院自然科学研究科 巻 平成13年6月, p. 60-62, 発行日 2001-06-01 |
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その他の識別子 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 000000405487 | |||||
出版者 | ||||||
出版者 | 金沢大学 | |||||
内容記述 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 取得学位:博士(学術),学位授与番号:博甲第370号,学位授与年月日:平成12年9月29日,学位授与年:2000 | |||||
著者版フラグ | ||||||
出版タイプ | VoR | |||||
出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |