@techreport{oai:kanazawa-u.repo.nii.ac.jp:00044444,
 month = {May},
 note = {多値記録可能な不揮発性メモリ（ReRAM）とSRAMを組み合わせたメモリに関する研究をおこなった。提案メモリセルは、2つの参照抵抗とプログラム可能な抵抗を通常のSRAMに接続したものである。 1つのセルは9個のトランジスタと3個の抵抗から構成され、電源を切る時に2bit記憶することができる。データをセルに書き込む時、可変抵抗の値を下げるべきなのか、上げるべきなのか、変更しなくて良いのかを判定する回路が通常必要であるが、今回提案する方式ではこの判定回路は不要である。また先行研究よりも安定にリコールできる方法を考案することができた。, I proposed and computationally analyzed a multivalued, nonvolatile SRAM using a ReRAM. Two reference resistors and a programmable resistor are connected to the storage nodes of a standard SRAM cell. The proposed 9T3R MNV-SRAM cell can store 2 bits of memory. In the storing operation, the recall operation and the successive decision operation of whether or not write pulse is required can be performed simultaneously. Therefore, the duration of the decision operation and the circuit are not required when using the proposed scheme. In order to realize a stable recall operation, a certain current (or voltage) is applied to the cell before the power supply is turned on. To investigate the process variation tolerance and the accuracy of programmed resistance, we simulated the effect of variations in the width of the transistor of the proposed MNV-SRAM cell, the resistance of the programmable resistor, and the power supply voltage with 180nm 3.3V CMOS HSPICE device models., 研究課題/領域番号:23560391, 研究期間(年度):2011-2013, 出典：「低電力動作可能な不揮発 SRAM に関する研究」研究成果報告書　課題番号23560391
（KAKEN：科学研究費助成事業データベース（国立情報学研究所））
（https://kaken.nii.ac.jp/report/KAKENHI-PROJECT-23560391/23560391seika/)を加工して作成},
 title = {低電力動作可能な不揮発 SRAM に関する研究},
 year = {2014}
}