@techreport{oai:kanazawa-u.repo.nii.ac.jp:00046149,
 month = {Jun},
 note = {SOI-PIN光検出器を提案した。この素子は電極間隔、受光部面積、パッド面積を最適化することで、20 GHz超での動作が期待できる。ファウンドリーサービスを用いて光検出器を作製し、波長0.8 um帯における特性を評価した。電極間隔 0.6 um、受光部面積 20×20 um2、パッド面積30×30 um2の素子において、最大帯域13 GHzを得た。
また、Si/SiO2方向性結合器による導波路型偏波スプリッタを作製した。FDTD解析により、結合長の組み合わせを1:2とすることで実現し、ファウンドリーサービスを用いて作製した。偏波スプリッタとして動作し、消光比20dB以上を得た。, We propose the SOI-PIN photodiodes. It is expected that the devices are operated at over 20 GHz by optimizing electrode spacing, receiving size and pad size. The devices are fabricated by foundry service. The devices were measured at the wavelength of 0.8 um region. The maximum bandwidth of 13 GHz was obtained at the electrode spacing of 0.6 um, receiving size of 20×20 um2 and pad size of 30×30 um2.
We proposed a design of waveguide type polarization splitter based on directional coupler which is advantageous in terms of size. It was confirmed by FDTD analysis that it can be realized by setting the combination of coupling length to 1: 2. Furthermore, we fabricated devises using foundry service and report results of measured polarization characteristics. From the result of the measurement, it was confirmed that this device was operating and an extinction ratio of 20 dB or more was obtained., 研究課題/領域番号:15K06012, 研究期間(年度):2015-04-01 - 2018-03-31, 出典：研究課題「CMOSプロセスを用いた超高速シリコンモノリシック光レシーバの開発」課題番号15K06012
（KAKEN：科学研究費助成事業データベース（国立情報学研究所）） 
（https://kaken.nii.ac.jp/report/KAKENHI-PROJECT-15K06012/15K06012seika/）を加工して作成, 金沢大学理工研究域電子情報通信学系},
 title = {CMOSプロセスを用いた超高速シリコンモノリシック光レシーバの開発},
 year = {2018}
}