@techreport{oai:kanazawa-u.repo.nii.ac.jp:00046151,
 month = {May},
 note = {チップ間光インターコネクションを行うためには、電子デバイスと光デバイスとをチップ内に集積する必要があり、そのための技術開発が急務となる。本研究は、これまで半導体レーザとして実績のあるIII-V族化合物半導体(GaInAsP/InP)をSOI基板に直接貼り付けることによりシリコンLSI上での集積化に適した単一モード半導体レーザの作製を行った。その結果、SOI基板上への光励起における単一モード発振および高温(80℃)動作、さらに電流注入構造を試作し、LEDおよびレーザ発振を実現した。, 研究課題/領域番号:19760231, 研究期間(年度):2007-2008, 出典：「SOI導波路上単一モード半導体薄膜レーザに関する研究」研究成果報告書　課題番号19760231
（KAKEN：科学研究費助成事業データベース（国立情報学研究所））
（https://kaken.nii.ac.jp/report/KAKENHI-PROJECT-19760231/19760231seika/)を加工して作成},
 title = {SOI導波路上単一モード半導体薄膜レーザに関する研究},
 year = {2009}
}