@techreport{oai:kanazawa-u.repo.nii.ac.jp:00051569,
 month = {May},
 note = {本研究では、ワイドギャップ半導体ダイヤモンドに対し、強誘電体をゲートとした電界効果トランジスタ（FeFET）構造を形成し、従来型パワーデバイスに比する優位性について検証を行った。
強誘電体ゲートを用いたダイヤモンドチャネルの電圧変調において、電流ON/OFF比10E+8を実証するに至った。また、強誘電体ゲートの残留分極を利用したダイヤモンドFeFETの疑似ノーマリオフ動作に関して、現在までに最長70時間に至るオフ状態の保持を実証した。
以上の結果は、強誘電体をゲートにより実現したパワーFETの新動作原理を示したものであり、今後、当該構造を利用したパワーデバイス開発に資するものと考える。, In this study, for wide-gap semiconductor diamond, we proposed the creation of field-effect transistor structure with a ferroelectric gate (FeFET), and investigated its superiority to conventional power devices.
We have demonstrated a current ON/OFF ratio of 10E+8 of diamond channel due to the modulation of huge amount of carrier by applying the gate voltage. In addition, about the pseudo normally-off operation of diamond FeFET using the remnant polarization of the ferroelectric gate, it has been demonstrated that the off-state can be maintained for up to 70 hours.
The above results indicate the new operating principle of a power FET realized by a ferroelectric gate, and are considered to contribute to the development of power devices using this structure in the future., 研究課題/領域番号:17H03248, 研究期間(年度):2017-04-01 - 2020-03-31, 出典：「強誘電体の巨大分極を利用した超低損失ダイヤモンドパワーFETの創出」研究成果報告書　課題番号17H03248
（KAKEN：科学研究費助成事業データベース（国立情報学研究所））
（https://kaken.nii.ac.jp/report/KAKENHI-PROJECT-17H03248/17H03248seika/)を加工して作成, 金沢大学理工研究域電子情報通信学系},
 title = {強誘電体の巨大分極を利用した超低損失ダイヤモンドパワーFETの創出},
 year = {2020}
}