@techreport{oai:kanazawa-u.repo.nii.ac.jp:00052862,
 month = {Jun},
 note = {ダイヤモンドは，将来のパワーデバイス用半導体材料としてSiCやGaNを凌ぐ性能が期待されている。本研究の目的は，ダイヤモンドと金属または絶縁体との界面におけるキャリア輸送現象と原子レベルの微視的構造との相関を明らかにすることにある。ダイヤモンドデバイス応用において重要な「金属電極との接触特性」および「MIS構造におけるチャネル伝導」をモデル化した量子輸送シミュレーションを行い，ダイヤモンド表面終端構造とキャリア輸送特性との相関を明らかにした。, Diamond is expected to outperform SiC and GaN as a semiconductor material for future power devices. The purpose of this study was to clarify the correlation between the carrier transport phenomena and the atomic-scale structures at the interface between diamond and metal/insulator. Quantum transport simulations were carried out for the models representing "contact with metal electrodes" and "channel conduction in MIS structures", which are substantially important for diamond device applications. The carrier transport properties of surface-terminated diamonds were revealed., 研究課題/領域番号:17K06343, 研究期間(年度):2017-04-01 – 2021-03-31, 出典：「表面終端ダイヤモンドにおけるキャリア輸送特性解析」研究成果報告書　課題番号17K06343
（KAKEN：科学研究費助成事業データベース（国立情報学研究所）） 
（https://kaken.nii.ac.jp/ja/report/KAKENHI-PROJECT-17K06343/17K06343seika/）を加工して作成, 金沢大学理工研究域電子情報通信学系},
 title = {表面終端ダイヤモンドにおけるキャリア輸送特性解析},
 year = {2021}
}