{"created":"2023-07-27T06:56:51.746050+00:00","id":53831,"links":{},"metadata":{"_buckets":{"deposit":"28b12a1d-7ae8-4dfe-8ce9-b05ec9a07770"},"_deposit":{"created_by":18,"id":"53831","owners":[18],"pid":{"revision_id":0,"type":"depid","value":"53831"},"status":"published"},"_oai":{"id":"oai:kanazawa-u.repo.nii.ac.jp:00053831","sets":["2812:2813:2821"]},"author_link":["84972","79748"],"item_9_alternative_title_2":{"attribute_name":"その他のタイトル","attribute_value_mlt":[{"subitem_alternative_title":"コンピューティクスによる物質デザイン：複合相関と非平衡ダイナミクス"},{"subitem_alternative_title":"Materials Design through Computics: Complex Correlation and Non-equilibrium Dynamics"}]},"item_9_biblio_info_8":{"attribute_name":"書誌情報","attribute_value_mlt":[{"bibliographicIssueDates":{"bibliographicIssueDate":"2018-03-28","bibliographicIssueDateType":"Issued"},"bibliographicPageStart":"3p.","bibliographicVolumeNumber":"2011-04-01 – 2013-03-31","bibliographic_titles":[{"bibliographic_title":"平成24(2012)年度 科学研究費補助金 新学術領域研究(研究領域提案型) 研究実績の概要"},{"bibliographic_title":"2012 Research Project Summary","bibliographic_titleLang":"en"}]}]},"item_9_creator_33":{"attribute_name":"著者別表示","attribute_type":"creator","attribute_value_mlt":[{"creatorNames":[{"creatorName":"Saito, Mineo"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"79748","nameIdentifierScheme":"WEKO"},{"nameIdentifier":"60377398","nameIdentifierScheme":"e-Rad","nameIdentifierURI":"https://kaken.nii.ac.jp/ja/search/?qm=60377398"}]}]},"item_9_description_21":{"attribute_name":"抄録","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"本研究では、シリコン原子空孔に関する研究を行った。はじめに、原子空孔のモデル化において用いられるスーパーセル近似の妥当性を調べ、単原子空孔においては、十分に大きなスーパーセルを用いた計算でないと、定性的に誤った結果を与えることを示した。これは、原子空孔周辺の原子が原子空孔中心に向い緩和するため、原子空孔間の距離が短い小さいスーパーセル近似では、格子緩和の影響を十分に考慮できなくなるからである事がわかった。また、融点近傍における単原子空孔の濃度を正確に見積もるため、振動エントロピーの効果を考慮した計算を行った。その結果、エントロピーの効果により、単原子空孔の濃度は4.6倍増加する事が分かった。これまでの研究から、極低温における超音波実験で観測されるソフト化を引き起こす欠陥の候補として、10原子空孔が最有力である事を明らかにした。最終年度においては、中性の電荷状態でソフト化の磁場依存性が小さい原因を研究した。その結果、10原子空孔では、4個のダングリングボンド間に反強磁性的相互作用が存在することが分かり、ソフト化で観測される特異な磁性構造を説明できる可能性を示した。最後に原子空孔を観測する有力な実験手法である、陽電子実験手法の解析のため、陽電子寿命を計算する手法を開発した。本研究では、とくにスピン分極した系の寿命を密度反関数法に基づいて計算するコードを開発した。強磁性体に関する計算結果は、実験結果と矛盾しない事を示し、計算の信頼性を確立した。","subitem_description_type":"Abstract"}]},"item_9_description_22":{"attribute_name":"内容記述","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"研究課題/領域番号:23104505, 研究期間(年度):2011-04-01 – 2013-03-31","subitem_description_type":"Other"},{"subitem_description":"出典：研究課題「シリコン中原子空孔の量子状態シミュレーション」課題番号23104505\n（KAKEN：科学研究費助成事業データベース（国立情報学研究所））\n（https://kaken.nii.ac.jp/ja/grant/KAKENHI-PUBLICLY-23104505/）を加工して作成","subitem_description_type":"Other"}]},"item_9_description_5":{"attribute_name":"提供者所属","attribute_value_mlt":[{"subitem_description":"金沢大学理工学域数物科学系","subitem_description_type":"Other"}]},"item_9_identifier_registration":{"attribute_name":"ID登録","attribute_value_mlt":[{"subitem_identifier_reg_text":"10.24517/00060112","subitem_identifier_reg_type":"JaLC"}]},"item_9_relation_28":{"attribute_name":"関連URI","attribute_value_mlt":[{"subitem_relation_name":[{"subitem_relation_name_text":"https://kaken.nii.ac.jp/ja/search/?kw=60377398"}],"subitem_relation_type_id":{"subitem_relation_type_id_text":"https://kaken.nii.ac.jp/ja/search/?kw=60377398","subitem_relation_type_select":"URI"}},{"subitem_relation_name":[{"subitem_relation_name_text":"https://kaken.nii.ac.jp/ja/grant/KAKENHI-PUBLICLY-23104505/"}],"subitem_relation_type_id":{"subitem_relation_type_id_text":"https://kaken.nii.ac.jp/ja/grant/KAKENHI-PUBLICLY-23104505/","subitem_relation_type_select":"URI"}},{"subitem_relation_name":[{"subitem_relation_name_text":"https://kaken.nii.ac.jp/ja/grant/KAKENHI-AREA-2203/"}],"subitem_relation_type_id":{"subitem_relation_type_id_text":"https://kaken.nii.ac.jp/ja/grant/KAKENHI-AREA-2203/","subitem_relation_type_select":"URI"}},{"subitem_relation_name":[{"subitem_relation_name_text":"https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-AREA-2203/"}],"subitem_relation_type_id":{"subitem_relation_type_id_text":"https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-AREA-2203/","subitem_relation_type_select":"URI"}}]},"item_9_version_type_25":{"attribute_name":"著者版フラグ","attribute_value_mlt":[{"subitem_version_resource":"http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa","subitem_version_type":"AM"}]},"item_creator":{"attribute_name":"著者","attribute_type":"creator","attribute_value_mlt":[{"creatorNames":[{"creatorName":"斎藤, 峯雄"}],"nameIdentifiers":[{"nameIdentifier":"84972","nameIdentifierScheme":"WEKO"},{"nameIdentifier":"60377398","nameIdentifierScheme":"e-Rad","nameIdentifierURI":"https://kaken.nii.ac.jp/ja/search/?qm=60377398"}]}]},"item_files":{"attribute_name":"ファイル情報","attribute_type":"file","attribute_value_mlt":[{"accessrole":"open_date","date":[{"dateType":"Available","dateValue":"2021-01-18"}],"displaytype":"detail","filename":"SC-PR-SAITO-M-kaken 2018-3p.pdf","filesize":[{"value":"221.7 kB"}],"format":"application/pdf","licensetype":"license_11","mimetype":"application/pdf","url":{"label":"SC-PR-SAITO-M-kaken 2018-3p.pdf","url":"https://kanazawa-u.repo.nii.ac.jp/record/53831/files/SC-PR-SAITO-M-kaken 2018-3p.pdf"},"version_id":"022695c9-286d-4ec2-a2dc-09685cdc3b3b"}]},"item_language":{"attribute_name":"言語","attribute_value_mlt":[{"subitem_language":"jpn"}]},"item_resource_type":{"attribute_name":"資源タイプ","attribute_value_mlt":[{"resourcetype":"research report","resourceuri":"http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws"}]},"item_title":"シリコン中原子空孔の量子状態シミュレーション","item_titles":{"attribute_name":"タイトル","attribute_value_mlt":[{"subitem_title":"シリコン中原子空孔の量子状態シミュレーション"}]},"item_type_id":"9","owner":"18","path":["2821"],"pubdate":{"attribute_name":"公開日","attribute_value":"2021-01-18"},"publish_date":"2021-01-18","publish_status":"0","recid":"53831","relation_version_is_last":true,"title":["シリコン中原子空孔の量子状態シミュレーション"],"weko_creator_id":"18","weko_shared_id":-1},"updated":"2024-07-01T05:56:41.073301+00:00"}