@techreport{oai:kanazawa-u.repo.nii.ac.jp:00057272,
 month = {Sep},
 note = {制限反応スパッタリングと名付けた新しいスパッタリング法を研究開発した.この技法を用いて,次世代MOSFET用ゲート絶縁膜としてZrO2誘電体膜を形成した.Si基板表面の酸化が抑制され20を越える高い比誘電率が得られた.酸化物ターゲットを用いた通常のスパッタリング法では酸素イオンや活性種が励起されSi基板は直ちに酸化してしまうが,この堆積法では,そのような酸化種が発生しないので,Si基板とその上の堆積膜の界面は急峻に形成できる., A new sputtering film deposition method, named Limited Reaction Sputtering Technique, was developed and investigated. Using this technique, ZrO2 dielectric films were synthsized for gate materials of next generation MOSFETs. The Si substrate surface oxidation was suppressed consequently a high specific dielectric constant as high as over 20 was obtained. On conventional sputtering technique using oxide target, oxigen ions and radicals are easily to be generated, thus Si is oxidized significantly. However, this teconique does not genarate them, resulting in clear interface between Si substrate and deposited films., 研究課題/領域番号:11555086, 研究期間(年度):1999 – 2001, 出典：「スパッタ・イオンプレーティング複合人工格子作製装置の開発研究」研究成果報告書　課題番号11555086
（KAKEN：科学研究費助成事業データベース（国立情報学研究所））
（https://kaken.nii.ac.jp/ja/grant/KAKENHI-PROJECT-11555086/）を加工して作成, 金沢大学工学部},
 title = {スパッタ・イオンプレーティング複合人工格子作製装置の開発研究},
 year = {2003}
}