| Item type |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
| 公開日 |
2022-01-20 |
| タイトル |
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タイトル |
Thermal equilibrium process in undoped hydrogenated amorphous silicon and silicon-carbon alloy films |
| 言語 |
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言語 |
eng |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
journal article |
| ID登録 |
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ID登録 |
10.24517/00064704 |
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ID登録タイプ |
JaLC |
| 著者 |
Xu, Xixiang
Morimoto, Akiharu
Kumeda, Minoru
Shimizu, Tatsuo
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| 著者別表示 |
森本, 章治
久米田, 稔
清水, 立生
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| 提供者所属 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
金沢大学設計製造技術研究所 / 金沢大学理工研究域電子情報通信学系 |
| 書誌情報 |
Applied Physics Letters
巻 52,
号 8,
p. 622-624,
発行日 1988
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| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
0003-6951 |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1077-3118 |
| NCID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AA00543431 |
| DOI |
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関連タイプ |
isIdenticalTo |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
10.1063/1.99384 |
| 出版者 |
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出版者 |
American Institute of Physics |
| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
We find the thermally induced defects in undoped hydrogenated amorphous silicon carbon (a-Si1-xCx: H) by electron spin resonance and conductivity measurements. The equilibrium temperature (Te) determined from the annealing temperature-dependent density of dangling bonds after fast cooling decreases with increasing C content, from 190 °C for hydrogenated amorphous silicon to 150 °C for a-Si0.82C 0.18: H. Possible microscopic mechanisms for the observed thermally induced defects in a-Si1-xCx: H alloys are discussed. |
| 権利 |
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権利情報 |
Copyright © American Institute of Physics |
| 著者版フラグ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
| 関連URI |
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識別子タイプ |
URI |
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関連識別子 |
http://apl.aip.org/ |
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関連名称 |
http://apl.aip.org/ |
TE-PR-MORIMOTO-A-622.pdf (635.2 kB)
.png)
