WEKO3
アイテム
Thermal equilibrium process in undoped hydrogenated amorphous silicon and silicon-carbon alloy films
https://doi.org/10.24517/00064704
https://doi.org/10.24517/00064704476ff82a-12b5-4287-abab-f1c361156c55
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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TE-PR-MORIMOTO-A-622.pdf (635.2 kB)
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.png)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2022-01-20 | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | Thermal equilibrium process in undoped hydrogenated amorphous silicon and silicon-carbon alloy films | |||||||||||
| 言語 | ||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||
| ID登録 | ||||||||||||
| ID登録 | 10.24517/00064704 | |||||||||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||||||||
| 著者 |
Xu, Xixiang
× Xu, Xixiang× Morimoto, Akiharu× Kumeda, Minoru× Shimizu, Tatsuo |
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| 著者別表示 |
森本, 章治
× 森本, 章治
× 久米田, 稔
× 清水, 立生
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| 提供者所属 | ||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||
| 内容記述 | 金沢大学設計製造技術研究所 / 金沢大学理工研究域電子情報通信学系 | |||||||||||
| 書誌情報 |
Applied Physics Letters 巻 52, 号 8, p. 622-624, 発行日 1988 |
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| ISSN | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||
| 収録物識別子 | 0003-6951 | |||||||||||
| ISSN | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||
| 収録物識別子 | 1077-3118 | |||||||||||
| NCID | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||
| 収録物識別子 | AA00543431 | |||||||||||
| DOI | ||||||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||
| 関連識別子 | 10.1063/1.99384 | |||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||
| 抄録 | ||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||
| 内容記述 | We find the thermally induced defects in undoped hydrogenated amorphous silicon carbon (a-Si1-xCx: H) by electron spin resonance and conductivity measurements. The equilibrium temperature (Te) determined from the annealing temperature-dependent density of dangling bonds after fast cooling decreases with increasing C content, from 190 °C for hydrogenated amorphous silicon to 150 °C for a-Si0.82C 0.18: H. Possible microscopic mechanisms for the observed thermally induced defects in a-Si1-xCx: H alloys are discussed. | |||||||||||
| 権利 | ||||||||||||
| 権利情報 | Copyright © American Institute of Physics | |||||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||
| 関連URI | ||||||||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||||||||
| 関連識別子 | http://apl.aip.org/ | |||||||||||
| 関連名称 | http://apl.aip.org/ | |||||||||||
