| Item type |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
| 公開日 |
2022-01-24 |
| タイトル |
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タイトル |
Surface and bulk defects in hydrogenated amorphous silicon and silicon-based alloy films |
| 言語 |
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言語 |
eng |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
journal article |
| ID登録 |
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ID登録 |
10.24517/00064707 |
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ID登録タイプ |
JaLC |
| 著者 |
Shimizu, Tatsuo
Xu, Xixiang
Kidoh, Hideo
Morimoto, Akiharu
Kumeda, Minoru
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| 著者別表示 |
清水, 立生
森本, 章治
久米田, 稔
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| 提供者所属 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
金沢大学設計製造技術研究所 / 金沢大学理工研究域電子情報通信学系 |
| アドバイザー |
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値 |
0021-8979 |
| 書誌情報 |
Journal of Applied Physics
巻 64,
号 10,
p. 5045-5049,
発行日 1988
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| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1089-7550 |
| ISBN |
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識別子タイプ |
ISBN |
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関連識別子 |
AA00693547 |
| NCID |
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識別子タイプ |
NCID |
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関連識別子 |
10.1063/1.342458 |
| その他の識別子 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
American Institute of Physics |
| NDC |
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主題Scheme |
NDC |
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主題 |
Copyright © American Institute of Physics |
| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
The surface and bulk defects in a-Si:H, a-Si1-xCx:H, and a-Si1-xNx:H films were investigated by electron spin resonance (ESR) and constant photocurrent method. The thickness of the surface defective layer in a-Si:H films was determined for the first time by ESR. Applying various surface treatments, the free-surface layer proved to be much more defective than the interface layer. Both surface and bulk defect densities in a-Si1-xCx:H and a-Si1-xNx@B: H alloy films were also determined by ESR. The origin of the surface states is discussed, and the experimental results are explained by a simplified model of the distribution of surface defects. |
| 著者版フラグ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
| 関連URI |
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識別子タイプ |
URI |
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関連識別子 |
http://jap.aip.org/ |
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関連名称 |
http://jap.aip.org/ |
TE-PR-MORIMOTO-A-5045.pdf (956.9 kB)
.png)
