WEKO3
アイテム
Surface and bulk defects in hydrogenated amorphous silicon and silicon-based alloy films
https://doi.org/10.24517/00064707
https://doi.org/10.24517/000647077dcbbb26-37a0-42ce-8913-370ebd4b1b39
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
TE-PR-MORIMOTO-A-5045.pdf (956.9 kB)
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.png)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2022-01-24 | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | Surface and bulk defects in hydrogenated amorphous silicon and silicon-based alloy films | |||||||||||
| 言語 | ||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||
| ID登録 | ||||||||||||
| ID登録 | 10.24517/00064707 | |||||||||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||||||||
| 著者 |
Shimizu, Tatsuo
× Shimizu, Tatsuo× Xu, Xixiang× Kidoh, Hideo× Morimoto, Akiharu× Kumeda, Minoru |
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| 著者別表示 |
清水, 立生
× 清水, 立生
× 森本, 章治
× 久米田, 稔
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| 提供者所属 | ||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||
| 内容記述 | 金沢大学設計製造技術研究所 / 金沢大学理工研究域電子情報通信学系 | |||||||||||
| アドバイザー | ||||||||||||
| 値 | 0021-8979 | |||||||||||
| 書誌情報 |
Journal of Applied Physics 巻 64, 号 10, p. 5045-5049, 発行日 1988 |
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| ISSN | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||
| 収録物識別子 | 1089-7550 | |||||||||||
| ISBN | ||||||||||||
| 識別子タイプ | ISBN | |||||||||||
| 関連識別子 | AA00693547 | |||||||||||
| NCID | ||||||||||||
| 識別子タイプ | NCID | |||||||||||
| 関連識別子 | 10.1063/1.342458 | |||||||||||
| その他の識別子 | ||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||
| 内容記述 | American Institute of Physics | |||||||||||
| NDC | ||||||||||||
| 主題Scheme | NDC | |||||||||||
| 主題 | Copyright © American Institute of Physics | |||||||||||
| 抄録 | ||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||
| 内容記述 | The surface and bulk defects in a-Si:H, a-Si1-xCx:H, and a-Si1-xNx:H films were investigated by electron spin resonance (ESR) and constant photocurrent method. The thickness of the surface defective layer in a-Si:H films was determined for the first time by ESR. Applying various surface treatments, the free-surface layer proved to be much more defective than the interface layer. Both surface and bulk defect densities in a-Si1-xCx:H and a-Si1-xNx@B: H alloy films were also determined by ESR. The origin of the surface states is discussed, and the experimental results are explained by a simplified model of the distribution of surface defects. | |||||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||
| 関連URI | ||||||||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||||||||
| 関連識別子 | http://jap.aip.org/ | |||||||||||
| 関連名称 | http://jap.aip.org/ | |||||||||||
