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Defects in hydrogenated amorphous silicon-carbon alloy films prepared by glow discharge decomposition and sputtering
https://doi.org/10.24517/00064708
https://doi.org/10.24517/000647086f5a206b-e76d-4359-9e07-cb6d1826ccdf
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
TE-PR-MORIMOTO-A-53.7229.pdf (866.3 kB)
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.png)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2022-01-24 | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | Defects in hydrogenated amorphous silicon-carbon alloy films prepared by glow discharge decomposition and sputtering | |||||||||||
| 言語 | ||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||
| ID登録 | ||||||||||||
| ID登録 | 10.24517/00064708 | |||||||||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||||||||
| 著者 |
Morimoto, Akiharu
× Morimoto, Akiharu× Miura, T.× Kumeda, Minoru× Shimizu, Tatsuo |
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| 著者別表示 |
森本, 章治
× 森本, 章治
× 久米田, 稔
× 清水, 立生
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| 提供者所属 | ||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||
| 内容記述 | 金沢大学設計製造技術研究所 / 金沢大学理工研究域電子情報通信学系 | |||||||||||
| 書誌情報 |
Journal of Applied Physics 巻 53, 号 11, p. 7299-7305, 発行日 1982 |
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| ISSN | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||
| 収録物識別子 | 0021-8979 | |||||||||||
| ISSN | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||
| 収録物識別子 | 1089-7550 | |||||||||||
| NCID | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||
| 収録物識別子 | AA00693547 | |||||||||||
| DOI | ||||||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||
| 関連識別子 | 10.1063/1.329879 | |||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||
| 抄録 | ||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||
| 内容記述 | Properties of hydrogenated amorphous silicon-carbon alloy (a-Si 1-xCx: H) films prepared by radio frequency (rf) glow discharge decomposition and rf sputtering have been investigated by means of electron spin resonance (ESR), infrared absorption, optical absorption, and photoconductivity measurements. Although the number of C-H per C atom [C-H]/[C] is larger than that of Si-H per Si atom [Si-H]/[Si], the ESR spin density increases greatly with the C content. The increase in the density of dangling bonds may be related to the fact that the number of H atoms in gathered phase increases with an increase in x. ESR measurements also give useful information about the preferential formation of C or Si dangling bonds and the atomic distribution of Si and C through a compositional dependence of the g value. A remarkable feature for a-Si1-xCx: H film is that the presence of C atoms in the amorphous network makes the Si-H bond in a-Si 1-xCx: H more stable than that in a-Si:H. | |||||||||||
| 権利 | ||||||||||||
| 権利情報 | Copyright © American Institute of Physics | |||||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||
| 関連URI | ||||||||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||||||||
| 関連識別子 | http://jap.aip.org/ | |||||||||||
| 関連名称 | http://jap.aip.org/ | |||||||||||
