Item type |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
公開日 |
2022-01-27 |
タイトル |
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タイトル |
Light-induced creation of defects and related phenomena in silicon-based amorphous semiconductors. |
言語 |
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言語 |
eng |
資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
journal article |
ID登録 |
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ID登録 |
10.24517/00064711 |
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ID登録タイプ |
JaLC |
著者 |
Morimoto, Akiharu
Yokomichi, H.
Atoji, T.
Kumeda, Minoru
Watanabe, Ichiro
Shimizu, Tatsuo
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著者別表示 |
森本, 章治
久米田, 稔
渡邊, 一郎
清水, 立生
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提供者所属 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
金沢大学設計製造技術研究所 / 金沢大学理工研究域電子情報通信学系 |
書誌情報 |
AIP Conference Proceedings
号 120,
p. 221-228,
発行日 1984
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ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
0094-243X |
ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1551-7616 |
NCID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AA00502977 |
DOI |
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関連タイプ |
isIdenticalTo |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
10.1063/1.34744 |
出版者 |
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出版者 |
American Institute of Physics |
抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
Light-induced creation of defects and their annealing process were studied by ESR, photoconductivity and photoluminescence measurements for a-Si//1// minus //xN//x:H and a-Si//1// minus //xC//x:H films besides a-Si:H films with various spin densities and H contents. The results show that the degradation of the photoconductivity and the photoluminescence is mainly attributed to creation of dangling bonds due to bond breaking. |
権利 |
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権利情報 |
Copyright © American Institute of Physics |
著者版フラグ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
関連URI |
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識別子タイプ |
URI |
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関連識別子 |
http://scitation.aip.org/content/aip/proceeding/aipcp |
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関連名称 |
http://scitation.aip.org/content/aip/proceeding/aipcp |