WEKO3
インデックスリンク
アイテム
Spin-polarized cation monovacancies in wurtzite structure semiconductors: first-principles study
https://doi.org/10.24517/00065298
https://doi.org/10.24517/00065298d7527952-81a8-45e2-99d3-edd574b54980
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
SC-PR-SAITO-M-071001.pdf (445.4 kB)
|
.png)
|
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2022-02-25 | |||||||
| タイトル | ||||||||
| タイトル | Spin-polarized cation monovacancies in wurtzite structure semiconductors: first-principles study | |||||||
| 言語 | ||||||||
| 言語 | eng | |||||||
| 資源タイプ | ||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||
| ID登録 | ||||||||
| ID登録 | 10.24517/00065298 | |||||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||||
| 著者 |
Widianto, Muhammad Yusuf Hakim
× Widianto, Muhammad Yusuf Hakim× Kadarisman, Hana Pratiwi× Yatmeidhy, Amran Mahfudh× Saito, Mineo |
|||||||
| 著者別表示 |
斎藤, 峯雄
× 斎藤, 峯雄
|
|||||||
| 提供者所属 | ||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||
| 内容記述 | 金沢大学ナノマテリアル研究所 / 金沢大学理工研究域数物科学系 | |||||||
| 書誌情報 |
Japanese Journal of Applied Physics 巻 59, 号 7, p. 071001, 発行日 2020-06-10 |
|||||||
| ISSN | ||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||
| 収録物識別子 | 0021-4922 | |||||||
| ISSN | ||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||
| 収録物識別子 | 1347-4065 | |||||||
| NCID | ||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||
| 収録物識別子 | AA12295836 | |||||||
| DOI | ||||||||
| 関連タイプ | isVersionOf | |||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||
| 関連識別子 | 10.35848/1347-4065/ab9654 | |||||||
| 出版者 | ||||||||
| 出版者 | Japan Society of Applied Physics / IOP Publishing | |||||||
| 抄録 | ||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||
| 内容記述 | We study spin-polarized cation vacancies in wurtzite structure semiconductors (BeO, ZnO, ZnS, CdS, BN, AlN, GaN and GaP) by using first-principles calculations based on the density functional theory. We find that C3v geometries are the most stable and are spin-polarized. Two majority spin electrons occupying the defect E level lead to the magnetic moment of 2 μ B in the case of II-VI semiconductors. On the contrary, in the case of III-V semiconductors, three majority spin electrons occupying the defect E and A1 levels induce the magnetic moment of 3 μ B . The spin polarization of cation vacancies in oxides and nitrides are found to be stable compared with other cation vacancies in II-VI and III-V semiconductors, respectively. We clarify that the effect of the symmetry lowering from C3v to C s is small and thus confirm that the spin polarized C3v geometries are the most stable. © 2020 The Japan Society of Applied Physics. | |||||||
| 内容記述 | ||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||
| 内容記述 | Embargo Period 12 months | |||||||
| 権利 | ||||||||
| 権利情報 | Copyright © 2020 Japan Society of Applied Physics / IOP Publishing | |||||||
| 著者版フラグ | ||||||||
| 出版タイプ | AM | |||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||||
| 関連URI | ||||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||||
| 関連識別子 | http://iopscience.iop.org/1347-4065/ | |||||||
| 関連名称 | http://iopscience.iop.org/1347-4065/ | |||||||
| 関連URI | ||||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||||
| 関連識別子 | http://www.jsap.or.jp/ | |||||||
| 関連名称 | http://www.jsap.or.jp/ | |||||||
| 関連URI | ||||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||||
| 関連識別子 | https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ab9654 | |||||||
| 関連名称 | https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/ab9654 | |||||||
