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アイテム
熱CVD多結晶Si膜成長時におけるプラズマ分解の重畳効果および伝導機構の解明
https://doi.org/10.24517/00067587
https://doi.org/10.24517/00067587da7f8d4f-c87f-48f9-b46c-209f501e1ebd
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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TE-PR-HASEGAWA-S-kaken 1993-2p.pdf (84.6 kB)
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.png)
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| Item type | 報告書 / Research Paper(1) | |||||
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| 公開日 | 2022-11-07 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 熱CVD多結晶Si膜成長時におけるプラズマ分解の重畳効果および伝導機構の解明 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Investigation on the Effect of in situ Plasma Supply During Growth of Polycrystalline Silicon Films by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition, and on their Electric Conduction Properties | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws | |||||
| 資源タイプ | research report | |||||
| ID登録 | ||||||
| ID登録 | 10.24517/00067587 | |||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||
| 著者 |
長谷川, 誠一
× 長谷川, 誠一 |
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| 提供者所属 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 金沢大学工学部 | |||||
| 書誌情報 |
平成1(1989)年度 科学研究費補助金 一般研究(C) 研究成果報告書概要 en : 1989 Fiscal Year Final Research Report Summary 巻 1988 – 1989, p. 2p., 発行日 1993-03-25 |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 多結晶Si膜が、印加高周波電力(0〜30W)、堆積温度(Td=620〜770℃)および水素希釈比(H_2/SiH_4=0〜8)などの堆積条件を変化させて溶融石英基板上に堆積された。 1.[アンド-プ膜の構造変化及び安定性]印加高周波電力の変化により、ランダム、<100>および<110>軸配向した多結晶Si膜を選択堆積することができた。この構造に与える高周波電力印加によるプラズマ発生の効果は、Tdの減少またはH_2/SiH_4の減少(SiH_4分圧の増加)による効果と等価であることが判った。更に、プラズマ発生は堆積されたSi膜の表面を究めて平滑にする効果、及び堆積後の外来汚染に対する安定性が大きく改善されることなど、工業的に有効な効果をもっていた。配向の変化は堆積速度および吸着Si系ラジカルの表面拡散係数の変化によって説明できた。また、プラズマ印加による表面の荒れの改善は、スパッタリング効果によって説明した。なお、上記成果は金沢大学から特許(日本、米国)請求中である。 2.[ド-ピング効果]プラズマを印加した(PECVD)Si膜のリンおよびボロンに対するド-ピング効率は、プラズマを印加していない(LPCVD)膜に比較して大きく改善された。配向性に関しては、1.のアンド-プ膜のそれと類似であった。また表面の荒れに関しては、LPCVD膜は中程度ド-プ量で荒れが究めて大きくなるのに対して、PECVD膜は全ド-プ量範囲で変化が無く平滑であった。 3.[薄膜トランジスタ(TFT)の評価]1.の多結晶Si膜上に形成したTFTの電界効果易動度を評価した結果、強い<110>配向をもつPECVD膜が最も高く、ランダム配向をもつLPCVD膜は最も低かった。これらの結果は結晶粒サイズ、配向の強さ、表面の荒れの変化に結び付けられた。 |
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| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | Polycrystalline Si (poly-Si) films were prepared on a fused quartz substrate as a function of the rf power (0-30 W), deposition temperature (T_d = 620-770ﾟC) and hydrogen dilution ratio (H_2/SiH_4 = 0 to 8). 1. Structural Changes and Stability against Foreign Contamination in Undoped Poly-Si films. As the rf power is increased, the preferential orientation to a random, <100> and <110> texture can be selected. The effect of rf plasma supply during the film growth on the structural properties was found to act as an equivalent effect to a decrease in T_d or a decrease in H_2/SiH_4 (an increase in the partial pressure of SiH_4). Furthermore, the plasma supply was found to have industrially useful effects for smoothing the film surface and improving the stability against foreign contamination such as oxygen. The structural change with the plasma supply was interpreted in terms of both of a change in deposition rate and a change in a surface-diffusion coefficient of SiH-related adsorbates. The improvement of surface roughness with the plasma supply was explained in terms of a sputtering effect which is likely to be also responsible for the structural change. 2. Doping Efficiency. The doping efficiency for phosphorus and boron in poly-Si films deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) method was largely improved as compared with that in poly-Si films prepared by low-pressure CVD (LPCVD) without plasma supply. The structure of doped films was similar to that of undoped films. Also PECVD films had very smooth surface independent of doping level, though the roughness of LPCVD films largely increased in an intermediate doping range. 3. Examination of Thin-Film transistors. The field-effect mobility for thin-film transistors fabricated on the undoped poly-Si films was investigated. The highest mobility was observed for PECVD films exhibiting a dominant <110> texture, while LPCVD films with a random texture had the lowest mobility. These results were discussed in terms of the crystallite size, preferential orientation and surface roughness. |
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| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 研究課題/領域番号:63550011, 研究期間(年度):1988 – 1989 | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 出典：研究課題「熱CVD多結晶Si膜成長時におけるプラズマ分解の重畳効果および伝導機構の解明」課題番号63550011 （KAKEN：科学研究費助成事業データベース（国立情報学研究所）） （https://kaken.nii.ac.jp/ja/report/KAKENHI-PROJECT-63550011/635500111989kenkyu_seika_hokoku_gaiyo/）を加工して作成 |
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| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | AM | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||
| 関連URI | ||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| 関連識別子 | https://kaken.nii.ac.jp/ja/search/?kw=10019755 | |||||
| 関連名称 | https://kaken.nii.ac.jp/ja/search/?kw=10019755 | |||||
| 関連URI | ||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| 関連識別子 | https://kaken.nii.ac.jp/ja/grant/KAKENHI-PROJECT-63550011/ | |||||
| 関連名称 | https://kaken.nii.ac.jp/ja/grant/KAKENHI-PROJECT-63550011/ | |||||
| 関連URI | ||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| 関連識別子 | https://kaken.nii.ac.jp/ja/report/KAKENHI-PROJECT-63550011/635500111989kenkyu_seika_hokoku_gaiyo/ | |||||
| 関連名称 | https://kaken.nii.ac.jp/ja/report/KAKENHI-PROJECT-63550011/635500111989kenkyu_seika_hokoku_gaiyo/ | |||||
