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次世代半導体メモリ : PRAMの例(<特集>大容量化が進むストレージ技術)
http://hdl.handle.net/2297/24658
http://hdl.handle.net/2297/24658c1a0fad3-1448-47bd-8c9d-5c6b99061daf
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
TE-PR-KITAGAWA-A-982.pdf (845.7 kB)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2017-10-03 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 次世代半導体メモリ : PRAMの例(<特集>大容量化が進むストレージ技術) | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Emerging New Memories : Phase-change RAM(<Special Issue>High Capacity Storage Technologies) | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| 著者 |
北川, 章夫
× 北川, 章夫× 中山, 和也× 高田, 雅史 |
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| 提供者所属 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 金沢大学理工研究域 | |||||
| 書誌情報 |
The Journal of the Institute of Electronics, Information, and Communication Engineers 巻 89, 号 11, p. 982-987, 発行日 2006-11-01 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 0913-5693 | |||||
| NCID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AN1001339X | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | IEICE 電子情報通信学会 = The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | アモルファス-結晶相転移や金属-絶縁体転移に伴う抵抗率変化を利用したメモリが次世代不揮発性メモリとして注目されている.これらのメモリは,集積回路の任意の配線層にメモリ材料を挿入しただけの簡単なセル構造により実現される.このため,既存メモリの微細化限界を乗り越え,混載メモリの大容量化を推進する手段として期待が大きい.特に,アモルファス-結晶相転移を用いた相転移メモリにおける材料開発及びメモリセルアレー形成技術の最近の動向と今後の展望を紹介する. | |||||
| 権利 | ||||||
| 権利情報 | (c)2006 IEICE 電子情報通信学会 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| 関連URI | ||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| 関連識別子 | http://www.ieice.org/jpn/index.html | |||||
| 関連URI | ||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| 関連識別子 | http://ci.nii.ac.jp/naid/110004837683/en/ | |||||
