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Retention properties with high-temperature resistance in (Bi,Pr)(Fe,Mn)O3 thin film capacitor
https://doi.org/10.24517/00009237
https://doi.org/10.24517/00009237b2a5e466-2896-43c2-8f45-b5296d76a963
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
TE-PR-MORIMOTO-A-536.pdf (411.7 kB)
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.png)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2017-10-03 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | Retention properties with high-temperature resistance in (Bi,Pr)(Fe,Mn)O3 thin film capacitor | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||
| ID登録 | ||||||||||
| ID登録 | 10.24517/00009237 | |||||||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||||||
| 著者 |
Nomura, Yukihiro
× Nomura, Yukihiro× Nomura, Keisuke× Kinoshita, Koyo× Kawae, Takeshi× Morimoto, Akiharu |
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| 著者別表示 |
川江, 健
× 川江, 健
× 森本, 章治
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| 提供者所属 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 金沢大学設計製造技術研究所 / 金沢大学理工研究域電子情報通信学系 | |||||||||
| 書誌情報 |
Physica Status Solidi - Rapid Research Letters 巻 8, 号 6, p. 536-539, 発行日 2014-06-01 |
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| ISSN | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||
| 収録物識別子 | 1862-6254 | |||||||||
| NCID | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||
| 収録物識別子 | AA1253461X | |||||||||
| DOI | ||||||||||
| 関連タイプ | isVersionOf | |||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||
| 関連識別子 | 10.1002/pssr.201309022 | |||||||||
| 出版者 | ||||||||||
| 出版者 | Wiley-VCH Verlag | |||||||||
| 抄録 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||
| 内容記述 | (Bi0.9Pr0.1)(Fe0.97Mn0.03)O3 (BPFM) thin film was deposited on Pt-coated Si(100) substrate by chemical solution deposition. Remnant polarization and coercive field in the BPFM film capacitor were 113 °C/cm2 and 630 kV/cm at the maximum electric field of 1000 kV/cm, respectively. Switching charge measured by a rectangular pulse measurement was 118 °C/cm2. Almost no polarization losses of BPFM film capacitor were observed even after retention time of 104 s at room temperature. Furthermore, the polarization loss at 450 °C was only 3.7% even after 104 s. These results indicate that BPFM film capacitor is suitable for non-volatile memory applications at high temperature. © 2014 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim. | |||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||
| 出版タイプ | AM | |||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||||||
