WEKO3
アイテム / Preparation of ZrO2 ultrathin films as gate dielectrics by limited reaction sputtering-On growth delay time at initial growth stage / TE-PR-ZHOU-Y-6131
TE-PR-ZHOU-Y-6131
ファイル | ライセンス |
---|---|
TE-PR-ZHOU-Y-6131.pdf (291.4 kB) sha256 54214be57afe822e57e2d670f54cdce14f1edfc270cc155597e871c572e0e417 |
公開日 | 2017-10-03 | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
ファイル名 | TE-PR-ZHOU-Y-6131.pdf | |||||
本文URL | https://kanazawa-u.repo.nii.ac.jp/record/8003/files/TE-PR-ZHOU-Y-6131.pdf | |||||
ラベル | TE-PR-ZHOU-Y-6131.pdf | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 291.4 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
---|