ダイヤモンドは、次世代パワーデバイス材料として最も高い省エネ効果が期待されている半導体材料である。本研究は、その材料・プロセス技術の高度化を行うことで、超省エネ化実現のための革新的デバイス特性を創出することを目的とした。本研究で、高品質なp型ダイヤモンド膜の成長技術の開発、超低抵抗率のδドープダイヤモンドの実現、そして、高品質なAl2O3/ダイヤモンド界面を有するダイヤモンドMOS構造の作製に成功した。
Diamond is a semiconductor material for the next-generation power devices. The purpose of this study was to create the novel device performances for the realization of ultra-energy saving by elevating its material and process techniques. In this study, we succeeded in the development of the growth techniques of high-quality p-type diamond films, the realization of delta-doped diamond with ultralow resistivity, and the fabrication of diamond MOS structures with high-quality Al2O3/diamond interfaces.
超低損失ダイヤモンドパワーデバイス開発のための基盤研究
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TE-PR-TOKUDA-N-kaken 2015-5p.pdf
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