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  1. H-3. ナノマテリアル研究所
  2. h-3 10. 学術雑誌掲載論文
  3. 1. 査読済論文

Relativistic Effect on the Bistability of Bi {012} Nanofilms

https://doi.org/10.24517/00065552
https://doi.org/10.24517/00065552
88f13753-13d9-4e32-a302-19ab92c02e56
名前 / ファイル ライセンス アクション
SC-PR-SAITO-M-7_13.pdf SC-PR-SAITO-M-7_13.pdf (1.1 MB)
license.icon
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2022-03-10
タイトル
タイトル Relativistic Effect on the Bistability of Bi {012} Nanofilms
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
ID登録
ID登録 10.24517/00065552
ID登録タイプ JaLC
著者 Kotaka, Hiroki

× Kotaka, Hiroki

WEKO 16405

Kotaka, Hiroki

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Ishii, Fumiyuki

× Ishii, Fumiyuki

WEKO 15520
e-Rad 20432122
金沢大学研究者情報 20432122
研究者番号 20432122

Ishii, Fumiyuki

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Saito, Mineo

× Saito, Mineo

WEKO 79748
e-Rad 60377398

Saito, Mineo

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Sawada, Keisuke

× Sawada, Keisuke

WEKO 16752

Sawada, Keisuke

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Uramoto, Yuki

× Uramoto, Yuki

WEKO 104632

Uramoto, Yuki

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Nagao, Tadaaki

× Nagao, Tadaaki

WEKO 104356

Nagao, Tadaaki

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Yaginuma, Shin

× Yaginuma, Shin

WEKO 104357

Yaginuma, Shin

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著者別表示 石井, 史之

× 石井, 史之

石井, 史之

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斎藤, 峯雄

× 斎藤, 峯雄

斎藤, 峯雄

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提供者所属
内容記述タイプ Other
内容記述 金沢大学ナノマテリアル研究所 / 金沢大学理工研究域数物科学系
書誌情報 e-Journal of Surface Science and Nanotechnology

巻 7, p. 13-16, 発行日 2009-01-10
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 1348-0391
DOI
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 10.1380/ejssnt.2009.13
出版者
出版者 日本表面真空学会 The Japan Society of Vacuum and Surface Science
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 We perform fully-relativistic first-principles calculations on Bi{012}films which are stable when the film thickness is very small. We find that the 2ML free-standing film has bistability, i,e, the two top atoms are buckled in one geometry and they are nearly flat in the other geometry. The calculated amplitude of the buckling in the buckled structures is 0.17 Å whereas the amplitude is 0.41 Å when the spin-orbit interaction (SOI) is not included in the calculation. Furthermore, the bond lengths between the top and the second top atoms in the buckled structure are alternant when the SOI is included in the calculation. Therefore, the SOI has a significant effect on the geometry. The total energy difference between the two structures is less than 1 meV. Therefore, we expect that one of the two structures appears depending on circumstance such as the interaction between the substrate and the film. [DOI: 10.1380/ejssnt.2009.13]
権利
権利情報 CC BY-NC-ND 4.0
権利
権利情報 Copyright © The Japan Society of Vacuum and Surface Science
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
関連URI
識別子タイプ URI
関連識別子 https://www.jstage.jst.go.jp/browse/ejssnt/-char/en
関連名称 https://www.jstage.jst.go.jp/browse/ejssnt/-char/en
関連URI
識別子タイプ DOI
関連識別子 https://doi.org/10.1380/ejssnt.2009.13
関連名称 https://doi.org/10.1380/ejssnt.2009.13
関連URI
識別子タイプ URI
関連識別子 https://www.jvss.jp
関連名称 https://www.jvss.jp
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Ver.1 2023-07-27 09:51:43.271820
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