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  1. N. 科研費研究成果報告書, JSTプロジェクト報告書, COE報告書
  2. n-1. 科学研究費成果報告書
  3. 平成08(1996)年度

Si超微粒子分散薄膜を用いた電界発光素子の作製と基本特性評価

https://doi.org/10.24517/00065850
https://doi.org/10.24517/00065850
69fc3c9d-aef4-47c3-bd2c-87c57f929bf1
名前 / ファイル ライセンス アクション
TE-PR-INOKUMA-T-kaken TE-PR-INOKUMA-T-kaken 2016-2p.pdf (135.1 kB)
license.icon
Item type 報告書 / Research Paper(1)
公開日 2022-04-21
タイトル
タイトル Si超微粒子分散薄膜を用いた電界発光素子の作製と基本特性評価
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws
資源タイプ research report
ID登録
ID登録 10.24517/00065850
ID登録タイプ JaLC
著者 猪熊, 孝夫

× 猪熊, 孝夫

WEKO 84063
e-Rad 50221784

猪熊, 孝夫

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提供者所属
内容記述タイプ Other
内容記述 金沢大学理工研究域電子情報通信学系
書誌情報 平成8(1996)年度 科学研究費補助金 奨励研究(A) 研究概要
en : 1996 Research Project Summary

巻 1996, p. 2p., 発行日 2016-04-21
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Siサブオキサイド(SiO_x)薄膜を高温熱処理・相分解する事により,Si酸化膜中にSi超微粒子を分散生成した,Si超微粒子分散薄膜(Si-cluster dispersed film:Si-CDF)は,光励起により強い赤色発光を呈し,さらに素子形成および微細加工に適した形態を持つ。本研究は,Si-CDFを発光層に用いて電界発光(EL)素子を作製し,EL発光層としての基本特性を明らかにする事を目的としたものである。
EL素子は,Al電極/Si-CDF/低抵抗Si基板の3層構造とした。プラズマCVDにより低抵抗Si基板上にSiO_x(x=1.6)を堆積し,1100℃・1時間の熱アニーリングによってSi超微粒子を折出させた後,Al上部電極を真空蒸着した。ELの励起は,交流電界を印加によって行った。このEL素子は,約3MV/cm(peak to peak)までの印加電圧に耐え,一般にELの励起に必要な電界は印加可能であったと言える。しかしながら,本研究で作製した素子すべてについてELは確認されなかった。
Si-CDF自体は光励起により強い発光を示すため,発光中心が存在することは明らかであり,今回ELが観測されなかったのはSi微粒子の励起過程に問題があったと考えられる。光励起の場合は,透明なSiO_2媒質は励起されずSi微粒子が選択的に励起されるが,電界励起の場合,媒質からSi微粒子への励起移動が効率良く行われる必要がある。今回の結果からは,Si微粒子の励起に必要なホットキャリアの媒質中における生成が充分でないことが考えられ,媒質の電気特性(キャリア濃度および易動度)の改善またはSi結晶の体積分率の向上が必要と考えられる。
今後は,キャリア注入型EL素子も念頭に入れ,薄膜全体としてみた電気特性の改善を目指す予定である。
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 研究課題/領域番号:08750396, 研究期間(年度):1996
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 出典:研究課題「 Si超微粒子分散薄膜を用いた電界発光素子の作製と基本特性評価」課題番号08750396
(KAKEN:科学研究費助成事業データベース(国立情報学研究所))
(https://kaken.nii.ac.jp/ja/grant/KAKENHI-PROJECT-08750396/)を加工して作成
著者版フラグ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
関連URI
識別子タイプ URI
関連識別子 https://kaken.nii.ac.jp/ja/search/?kw=50221784
関連名称 https://kaken.nii.ac.jp/ja/search/?kw=50221784
関連URI
識別子タイプ URI
関連識別子 https://kaken.nii.ac.jp/ja/grant/KAKENHI-PROJECT-08750396/
関連名称 https://kaken.nii.ac.jp/ja/grant/KAKENHI-PROJECT-08750396/
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Ver.1 2023-07-27 13:10:46.735299
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