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Temperature Dependence of Gain Characteristics in 1.3-μm AlGaInAs/InP Strained Multiple-Quantum-Well Semiconductor Lasers (Joint Special Issue on Recent Progress in Optoelectronics and Communications)
http://hdl.handle.net/2297/6986
http://hdl.handle.net/2297/69868d583975-9566-43af-a22c-e727e9e642f1
| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2017-10-03 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Temperature Dependence of Gain Characteristics in 1.3-μm AlGaInAs/InP Strained Multiple-Quantum-Well Semiconductor Lasers (Joint Special Issue on Recent Progress in Optoelectronics and Communications) | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| アクセス権 | ||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
| 著者 |
Hogashi, Toshio
× Hogashi, Toshio× Yamamoto, Tsuyoshi× Ishikawa, Tsutomu× Fujii, Takuya× Soda, Haruhisa× Yamada, Minoru |
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| 提供者所属 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 大学院自然科学研究科電子科学 | |||||
| 書誌情報 |
IEICE transactions on communications 巻 E84-B, 号 5, p. 1274-1281, 発行日 2001-05-01 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 0916-8516 | |||||
| NCID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA10826261 | |||||
| 権利 | ||||||
| 権利情報 | 電子情報通信学会の許諾を得て登録 | |||||
| 権利 | ||||||
| 権利情報 | copyright© 2001 IEICE 許諾番号07RB0167 | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| 関連URI | ||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| 関連識別子 | http://search.ieice.org/ | |||||
