WEKO3
アイテム / Fabrication of GaAs MISFET with nm-thin oxidized layer formed by UV and ozone process / 01097899
01097899
ファイル | ライセンス |
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01097899.pdf (624.9 kB) sha256 b59f55455c397275b6df1b19b510ce070c49d76dc1cb704fb7a92996329b68b2 |
Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Unported (CC BY-NC-ND 3.0) |
公開日 | 2017-10-03 | |||||
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ファイル名 | 01097899.pdf | |||||
本文URL | https://kanazawa-u.repo.nii.ac.jp/record/7651/files/01097899.pdf | |||||
ラベル | 01097899.pdf | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 624.9 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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