WEKO3
アイテム / GaAs- MISFETs with insulating gate films formed by direct oxidation and by oxinitridation of recessed GaAs surfaces / 01268252
01268252
ファイル | ライセンス |
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01268252.pdf (374.1 kB) sha256 1805bd96bc29007ad1932659b14d8a6adbfb3f795c0834f43a8782f2c84e9f89 |
公開日 | 2017-10-03 | |||||
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ファイル名 | 01268252.pdf | |||||
本文URL | https://kanazawa-u.repo.nii.ac.jp/record/7738/files/01268252.pdf | |||||
ラベル | 01268252.pdf | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 374.1 kB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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