WEKO3
アイテム / GaAs- MISFETs with insulating gate films formed by direct oxidation and by oxinitridation of recessed GaAs surfaces / 01268252
01268252
| ファイル | ライセンス |
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01268252.pdf (374.1 kB)
sha256
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| 公開日 | 2017-10-03 | |||||
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| ファイル名 | 01268252.pdf | |||||
| 本文URL | https://kanazawa-u.repo.nii.ac.jp/record/7738/files/01268252.pdf | |||||
| ラベル | 01268252.pdf | |||||
| フォーマット | application/pdf | |||||
| サイズ | 374.1 kB | |||||
| Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/非表示 |
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