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Ab initio calculations for defects in silicon-based amorphous semiconductors
http://hdl.handle.net/2297/24539
http://hdl.handle.net/2297/245396a86abf9-acca-4522-a190-77db20113650
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
TE-PR-ISHII-N-1992-305.pdf (304.8 kB)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
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| 公開日 | 2017-10-03 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Ab initio calculations for defects in silicon-based amorphous semiconductors | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| 著者 |
Ishii, Nobuhiko
× Ishii, Nobuhiko× Shimizu, Tatsuo |
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| 書誌情報 |
Materials Research Society Symposium Proceedings 巻 258, p. 305-310, 発行日 1992-01-01 |
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| ISSN | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 0272-9172 | |||||
| NCID | ||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||
| 収録物識別子 | AA10616881 | |||||
| DOI | ||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.1557/proc-258-305 | |||||
| 出版者 | ||||||
| 出版者 | Materials Research Society | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | We have calclulated the ESR hyperfine parameters of threefold-coordinated Si atoms and twofold-coordinated P and N atoms in Si-based amorphous semiconductors using the density functional theory with a local-spin-density approximation. These calculated results have been compared with the observed ESR results. | |||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
