WEKO3
アイテム / Feasibility of Ultra-Thin Films for Gate Insulator by Limited Reaction Sputtering Process / TE-PR-SASAKI-K-218-222
TE-PR-SASAKI-K-218-222
ファイル | ライセンス |
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TE-PR-SASAKI-K-218-222.pdf (2.8 MB) sha256 fb8d84c6de024730d6428f4eb985662923522bc96c2b0c5fe48c424d727beb54 |
公開日 | 2017-10-03 | |||||
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ファイル名 | TE-PR-SASAKI-K-218-222.pdf | |||||
本文URL | https://kanazawa-u.repo.nii.ac.jp/record/8893/files/TE-PR-SASAKI-K-218-222.pdf | |||||
ラベル | TE-PR-SASAKI-K-218-222.pdf | |||||
フォーマット | application/pdf | |||||
サイズ | 2.8 MB |
Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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