WEKO3
アイテム / Feasibility of Ultra-Thin Films for Gate Insulator by Limited Reaction Sputtering Process / TE-PR-SASAKI-K-218-222
TE-PR-SASAKI-K-218-222
| ファイル | ライセンス |
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 TE-PR-SASAKI-K-218-222.pdf (2.8 MB)
sha256
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| 公開日 | 2017-10-03 | |||||
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| ファイル名 | TE-PR-SASAKI-K-218-222.pdf | |||||
| 本文URL | https://kanazawa-u.repo.nii.ac.jp/record/8893/files/TE-PR-SASAKI-K-218-222.pdf | |||||
| ラベル | TE-PR-SASAKI-K-218-222.pdf | |||||
| フォーマット | application/pdf | |||||
| サイズ | 2.8 MB | |||||
| Version | Date Modified | Object File Name | File Size | File Hash Value | Contributor Name | Show/Hide |
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