Item type |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
公開日 |
2018-06-15 |
タイトル |
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タイトル |
超微粒ダイヤモンド砥粒によるシリコンウエハの研磨 |
タイトル |
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タイトル |
Fine Polishing of Silicon Wafer Using 5nm Diamond Grain |
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言語 |
en |
言語 |
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言語 |
jpn |
資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
journal article |
ID登録 |
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ID登録 |
10.24517/00050037 |
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ID登録タイプ |
JaLC |
著者 |
黒部, 利次
森田, 知之
山中, 喜彦
広崎, 憲一
坂谷, 勝明
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著者別表示 |
Kurobe, Toshiji
Morita, Tomoyuki
Yamanaka, Yoshihiko
Hirosaki, Kenichi
Sakaya, Katsuaki
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提供者所属 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
金沢大学理工研究域機械工学系 |
書誌情報 |
精密工学会学術講演会講演論文集
en : 2003 JSPE Spring Meeting
巻 2003 Spring,
号 H38,
p. 328-328,
発行日 2003
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NCID |
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識別子タイプ |
NCID |
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関連識別子 |
BA90159927 |
DOI |
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関連タイプ |
isIdenticalTo |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
10.11522/pscjspe.2003S.0.409.0 |
出版者 |
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出版者 |
精密工学会 = The Japan Society for Precision Engineering |
抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
平均粒径5nmの超微粒ダイヤモンド砥粒をイオン交換水に懸濁し,そのスラリーを研磨液としてシリコンウエハの研磨を行った.研磨は,シリコンウエハラップ面について行った.実験の結果,3時間の研磨時間でRa2nmまで表面粗さは低減した.実験は,超微粒多結晶ダイヤモンド砥粒についても行った.多結晶ダイヤモンドの場合,研磨能は単結晶ダイヤモンドの場合よりも幾分良いという結果が得られた. |
内容記述 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
出版者照会後に全文公開 |
権利 |
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権利情報 |
Copyright © The Japan Society for Precision Engineering |
著者版フラグ |
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出版タイプ |
VoR |
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出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
関連URI |
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識別子タイプ |
URI |
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関連識別子 |
https://www.jstage.jst.go.jp/browse/pscjspe/-char/ja/ |
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関連名称 |
https://www.jstage.jst.go.jp/browse/pscjspe/-char/ja/ |
関連URI |
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識別子タイプ |
URI |
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関連識別子 |
http://www.jspe.or.jp/ |
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関連名称 |
http://www.jspe.or.jp/ |