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Doping effect of oxygen or nitorogen impurity in hydrogenated amoorphous silicon films
https://doi.org/10.24517/00009724
https://doi.org/10.24517/00009724413bea10-4ad4-45ce-b561-90d45518c0d2
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
TE-PR-1991-MORIMOTO-A-2130.pdf (224.9 kB)
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.png)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2017-10-03 | |||||||||||
| タイトル | ||||||||||||
| タイトル | Doping effect of oxygen or nitorogen impurity in hydrogenated amoorphous silicon films | |||||||||||
| 言語 | ||||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||||
| ID登録 | ||||||||||||
| ID登録 | 10.24517/00009724 | |||||||||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||||||||
| 著者 |
Morimoto, Akiharu
× Morimoto, Akiharu× Matsumoto, Minoru× Yoshita, Masahiro× Kumeda, Minoru× Shimizu, Tatsuo |
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| 著者別表示 |
森本, 章治
× 森本, 章治
× 久米田, 稔
× 清水, 立生
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| 提供者所属 | ||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||
| 内容記述 | 金沢大学設計製造技術研究所 / 金沢大学理工研究域電子情報学系 / 金沢大学工学部 | |||||||||||
| 書誌情報 |
Applied physics letters 巻 59, 号 17, p. 2130-2132, 発行日 1991-10-01 |
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| ISSN | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||
| 収録物識別子 | 0003-6951 | |||||||||||
| NCID | ||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||||
| 収録物識別子 | AA00543431 | |||||||||||
| DOI | ||||||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||||
| 関連識別子 | 10.1063/1.106102 | |||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||||||||
| 抄録 | ||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||
| 内容記述 | O, N, or C impurity was separately incorporated into a‐Si:H films by hot‐wall glow discharge decomposition. The effect of the impurity incorporation was investigated by electrical and electron spin resonance measurements. Both O and N impurities were found to increase the dark conductivity by decreasing its activation energy in a‐Si:H films. Furthermore, it was found that O and N impurities delay the photoresponse. C impurity, however, has no appreciable effect on them. These findings suggest that O and N impurities shift the Fermi level upward and form a trapping state for photoexcited electrons, supporting our O+3 and N+4 model. | |||||||||||
| 権利 | ||||||||||||
| 権利情報 | (c) American Institute of Physics | |||||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||
| 関連URI | ||||||||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||||||||
| 関連識別子 | http://apl.aip.org/applab/v96/i10/p103505_s1 | |||||||||||
