| Item type |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
| 公開日 |
2017-10-03 |
| タイトル |
|
|
タイトル |
Doping effect of oxygen or nitorogen impurity in hydrogenated amoorphous silicon films |
| 言語 |
|
|
言語 |
eng |
| 資源タイプ |
|
|
資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
|
資源タイプ |
journal article |
| ID登録 |
|
|
ID登録 |
10.24517/00009724 |
|
ID登録タイプ |
JaLC |
| 著者 |
Morimoto, Akiharu
Matsumoto, Minoru
Yoshita, Masahiro
Kumeda, Minoru
Shimizu, Tatsuo
|
| 著者別表示 |
森本, 章治
久米田, 稔
清水, 立生
|
| 提供者所属 |
|
|
内容記述タイプ |
Other |
|
内容記述 |
金沢大学設計製造技術研究所 / 金沢大学理工研究域電子情報学系 / 金沢大学工学部 |
| 書誌情報 |
Applied physics letters
巻 59,
号 17,
p. 2130-2132,
発行日 1991-10-01
|
| ISSN |
|
|
収録物識別子タイプ |
ISSN |
|
収録物識別子 |
0003-6951 |
| NCID |
|
|
収録物識別子タイプ |
NCID |
|
収録物識別子 |
AA00543431 |
| DOI |
|
|
関連タイプ |
isIdenticalTo |
|
|
識別子タイプ |
DOI |
|
|
関連識別子 |
10.1063/1.106102 |
| 出版者 |
|
|
出版者 |
American Institute of Physics |
| 抄録 |
|
|
内容記述タイプ |
Abstract |
|
内容記述 |
O, N, or C impurity was separately incorporated into a‐Si:H films by hot‐wall glow discharge decomposition. The effect of the impurity incorporation was investigated by electrical and electron spin resonance measurements. Both O and N impurities were found to increase the dark conductivity by decreasing its activation energy in a‐Si:H films. Furthermore, it was found that O and N impurities delay the photoresponse. C impurity, however, has no appreciable effect on them. These findings suggest that O and N impurities shift the Fermi level upward and form a trapping state for photoexcited electrons, supporting our O+3 and N+4 model. |
| 権利 |
|
|
権利情報 |
(c) American Institute of Physics |
| 著者版フラグ |
|
|
出版タイプ |
VoR |
|
出版タイプResource |
http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 |
| 関連URI |
|
|
|
識別子タイプ |
URI |
|
|
関連識別子 |
http://apl.aip.org/applab/v96/i10/p103505_s1 |
TE-PR-1991-MORIMOTO-A-2130.pdf (224.9 kB)
.png)
