WEKO3
アイテム
強誘電体の巨大分極を利用した超低損失ダイヤモンドパワーFETの創出
https://doi.org/10.24517/00057872
https://doi.org/10.24517/0005787299a7b757-9cb0-4bce-8e9d-4618b21bb2fb
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
|
|
| アイテムタイプ | 報告書 / Research Paper(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2021-04-22 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | 強誘電体の巨大分極を利用した超低損失ダイヤモンドパワーFETの創出 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Fabrication of low-loss diamond power FET using giant poralization of ferroelectrics | |||||
| 言語 | en | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | jpn | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws | |||||
| 資源タイプ | research report | |||||
| ID登録 | ||||||
| ID登録 | 10.24517/00057872 | |||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||
| 著者 |
川江, 健
× 川江, 健 |
|||||
| 提供者所属 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 金沢大学理工研究域電子情報通信学系 | |||||
| 書誌情報 |
令和1(2019)年度 科学研究費補助金 基盤研究(B) 研究成果報告書 en : 2019 Fiscal Year Final Research Report 巻 2017-04-01 - 2020-03-31, p. 7p., 発行日 2020-05-26 |
|||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | 本研究では、ワイドギャップ半導体ダイヤモンドに対し、強誘電体をゲートとした電界効果トランジスタ(FeFET)構造を形成し、従来型パワーデバイスに比する優位性について検証を行った。 強誘電体ゲートを用いたダイヤモンドチャネルの電圧変調において、電流ON/OFF比10E+8を実証するに至った。また、強誘電体ゲートの残留分極を利用したダイヤモンドFeFETの疑似ノーマリオフ動作に関して、現在までに最長70時間に至るオフ状態の保持を実証した。 以上の結果は、強誘電体をゲートにより実現したパワーFETの新動作原理を示したものであり、今後、当該構造を利用したパワーデバイス開発に資するものと考える。 |
|||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | In this study, for wide-gap semiconductor diamond, we proposed the creation of field-effect transistor structure with a ferroelectric gate (FeFET), and investigated its superiority to conventional power devices. We have demonstrated a current ON/OFF ratio of 10E+8 of diamond channel due to the modulation of huge amount of carrier by applying the gate voltage. In addition, about the pseudo normally-off operation of diamond FeFET using the remnant polarization of the ferroelectric gate, it has been demonstrated that the off-state can be maintained for up to 70 hours. The above results indicate the new operating principle of a power FET realized by a ferroelectric gate, and are considered to contribute to the development of power devices using this structure in the future. |
|||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 研究課題/領域番号:17H03248, 研究期間(年度):2017-04-01 - 2020-03-31 | |||||
| 内容記述 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | 出典:「強誘電体の巨大分極を利用した超低損失ダイヤモンドパワーFETの創出」研究成果報告書 課題番号17H03248 (KAKEN:科学研究費助成事業データベース(国立情報学研究所)) (https://kaken.nii.ac.jp/report/KAKENHI-PROJECT-17H03248/17H03248seika/)を加工して作成 |
|||||
| 著者版フラグ | ||||||
| 出版タイプ | AM | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||
| 関連URI | ||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| 関連識別子 | https://kaken.nii.ac.jp/search/?qm=30401897 | |||||
| 関連名称 | https://kaken.nii.ac.jp/search/?qm=30401897 | |||||
| 関連URI | ||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| 関連識別子 | https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17H03248/ | |||||
| 関連名称 | https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-17H03248/ | |||||
| 関連URI | ||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||
| 関連識別子 | https://kaken.nii.ac.jp/report/KAKENHI-PROJECT-17H03248/17H03248seika/ | |||||
| 関連名称 | https://kaken.nii.ac.jp/report/KAKENHI-PROJECT-17H03248/17H03248seika/ | |||||