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Effects of SrRuO3 layer on retention properties of (Bi, Pr)(Fe, Mn)O3 film capacitor at high temperature
https://doi.org/10.24517/00064720
https://doi.org/10.24517/00064720a3e6d0eb-66af-4e0c-9e82-5fc810ff2810
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
TE-PR-MORIMOTO-A-N1.pdf (518.4 kB)
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.png)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2022-01-20 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | Effects of SrRuO3 layer on retention properties of (Bi, Pr)(Fe, Mn)O3 film capacitor at high temperature | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||
| ID登録 | ||||||||||
| ID登録 | 10.24517/00064720 | |||||||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||||||
| 著者 |
Nomura, Keisuke
× Nomura, Keisuke× Kondo, Yuki× Kawae, Takeshi× Morimoto, Akiharu |
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| 著者別表示 |
川江, 健
× 川江, 健
× 森本, 章治
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| 提供者所属 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 金沢大学設計製造技術研究所 / 金沢大学理工研究域電子情報通信学系 | |||||||||
| 書誌情報 |
ECS Solid State Letters 巻 4, 号 5, p. N1-N4, 発行日 2015 |
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| ISSN | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||
| 収録物識別子 | 2162-8742 | |||||||||
| ISSN | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||
| 収録物識別子 | 2162-8750 | |||||||||
| NCID | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||
| 収録物識別子 | AA12582714 | |||||||||
| DOI | ||||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||
| 関連識別子 | 10.1149/2.0031505ssl | |||||||||
| 出版者 | ||||||||||
| 出版者 | Electrochemical Society Inc. | |||||||||
| 抄録 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||
| 内容記述 | We investigated the effects of a SrRuO3 (SRO) layer on the retention properties of (Bi, Pr)(Fe, Mn)O3 (BPFM) film capacitors under high temperature conditions. The dielectric constant of the BPFM film capacitor was increased by the introduction of the SRO layer. In addition, the Pt/BPFM/SRO/Pt capacitor showed polarization losses of only 6.4% in both polarization directions after a retention time of 104 s at 400°C, resulting in symmetrical switching behavior. These results imply that the introduction of the SRO layer is effective in suppression of the formation of an interfacial layer between BPFM and Pt. © 2015 The Electrochemical Society. | |||||||||
| 権利 | ||||||||||
| 権利情報 | Copyright © Electrochemical Society Inc. | |||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||
| 関連URI | ||||||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||||||
| 関連識別子 | http://ssl.ecsdl.org/ | |||||||||
| 関連名称 | http://ssl.ecsdl.org/ | |||||||||
