ログイン
言語:

WEKO3

  • トップ
  • ランキング
To
lat lon distance
To

Field does not validate



インデックスリンク

インデックスツリー

メールアドレスを入力してください。

WEKO

One fine body…

WEKO

One fine body…

アイテム

  1. H-5. 高度モビリティ研究所
  2. h-5 10. 学術雑誌掲載論文
  3. 1. 査読済論文

Simultaneous enlargement of SRAM read/write noise margin by controlling virtual ground lines

https://doi.org/10.24517/00007828
https://doi.org/10.24517/00007828
e21c70ef-ffa6-44b7-9e7e-758184737122
名前 / ファイル ライセンス アクション
ME-PR-MATSUDA-Y-5603927.pdf ME-PR-MATSUDA-Y-5603927.pdf (390.7 kB)
license.icon
Item type 会議発表論文 / Conference Paper(1)
公開日 2017-10-03
タイトル
タイトル Simultaneous enlargement of SRAM read/write noise margin by controlling virtual ground lines
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_5794
資源タイプ conference paper
ID登録
ID登録 10.24517/00007828
ID登録タイプ JaLC
著者 Makino, Hiroshi

× Makino, Hiroshi

WEKO 10701

Makino, Hiroshi

Search repository
Kusumoto, Takahito

× Kusumoto, Takahito

WEKO 10702

Kusumoto, Takahito

Search repository
Nakata, Shunji

× Nakata, Shunji

WEKO 10703

Nakata, Shunji

Search repository
Mutoh, Shinichiro

× Mutoh, Shinichiro

WEKO 10704

Mutoh, Shinichiro

Search repository
Miyama, Masayuki

× Miyama, Masayuki

WEKO 535
金沢大学研究者情報 30324106
研究者番号 30324106

Miyama, Masayuki

Search repository
Yoshimura, Tsutomu

× Yoshimura, Tsutomu

WEKO 10705

Yoshimura, Tsutomu

Search repository
Iwade, Shuhei

× Iwade, Shuhei

WEKO 10706

Iwade, Shuhei

Search repository
Matsuda, Yoshio

× Matsuda, Yoshio

WEKO 10707
金沢大学研究者情報 20401896
研究者番号 20401896

Matsuda, Yoshio

Search repository
著者別表示 深山, 正幸

× 深山, 正幸

深山, 正幸

Search repository
松田, 吉雄

× 松田, 吉雄

松田, 吉雄

Search repository
提供者所属
内容記述タイプ Other
内容記述 金沢大学理工研究域電子情報学系
書誌情報 Proceedings of the 8th IEEE International NEWCAS Conference

巻 NEWCAS2010, 号 5603927, p. 73-76, 発行日 2010-01-01
DOI
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 10.1109/NEWCAS.2010.5603927
出版者
出版者 IEEE = Institute of Electrical and Electronics Engineers
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 The SRAM operating margin in 65nm technology is analyzed. The peak characteristic in the read margin versus the supply voltage was found to be caused by the channel length modulation effect. Controlling the memory cell virtual ground line proved to be effective in enlarging the operating margin simultaneously in the read and the write operations. A simple o ptimum circuit which does not require any dynamic voltage c ontrol is proposed, realizing an improvement in the operating m argin comparable to conventional circuits requiring dynamic voltage control. © 2010 IEEE.
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
戻る
0
views
See details
Views

Versions

Ver.1 2023-07-27 10:34:40.348684
Show All versions

Share

Mendeley Twitter Facebook Print Addthis

Cite as

エクスポート

OAI-PMH
  • OAI-PMH JPCOAR 2.0
  • OAI-PMH JPCOAR 1.0
  • OAI-PMH DublinCore
  • OAI-PMH DDI
Other Formats
  • JSON
  • BIBTEX

Confirm


Powered by WEKO3


Powered by WEKO3