WEKO3
アイテム
Silicon lateral avalanche photodiodes fabricated by standard 0.18 µm CMOS process
https://doi.org/10.24517/00007868
https://doi.org/10.24517/0000786897e3b457-2507-402e-85c7-4e9cbc0a0d17
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
TE-PR-IIYAMA-K-5287343.pdf (318.8 kB)
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.png)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2017-10-03 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | Silicon lateral avalanche photodiodes fabricated by standard 0.18 µm CMOS process | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||
| ID登録 | ||||||||||
| ID登録 | 10.24517/00007868 | |||||||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||||||
| 著者 |
Iiyama, Koichi
× Iiyama, Koichi× Takamatsu, Hideki× Maruyama, Takeo |
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| 著者別表示 |
飯山, 宏一
× 飯山, 宏一
× 丸山, 武男
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| 提供者所属 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 金沢大学理工研究域電子情報学系 | |||||||||
| 書誌情報 |
European Conference on Optical Communication, ECOC p. 510-511, 発行日 2009-01-01 |
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| ISBN | ||||||||||
| 識別子タイプ | ISBN | |||||||||
| 関連識別子 | 978-142445096-1 | |||||||||
| DOI | ||||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||
| 関連識別子 | https://doi.org/10.7567/ssdm.2009.p-7-1 | |||||||||
| 出版者 | ||||||||||
| 出版者 | European Conference on Optical Communication, ECOC / IEEE | |||||||||
| 抄録 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||
| 内容記述 | A Si APD was fabricated by standard 0.18 μm CMOS process. The maximum avalanche gain was 224 for only 8 V bias. The bandwidth was 1.6 GHz for low avalanche gain and 800 MHz for large avalanche gain. © VDE VERLAG GMBH. | |||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||
