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Hole-injection-type and electron-injection-type silicon avalanche photodiodes fabricated by standard 0.18-μm CMOS process
https://doi.org/10.24517/00008052
https://doi.org/10.24517/00008052ab30594d-1177-4b50-9744-acd05f8e4794
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
TE-PR-IIYAMA-K-932.pdf (218.4 kB)
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.png)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2017-10-03 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | Hole-injection-type and electron-injection-type silicon avalanche photodiodes fabricated by standard 0.18-μm CMOS process | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | eng | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||
| ID登録 | ||||||||||
| ID登録 | 10.24517/00008052 | |||||||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||||||
| 著者 |
Iiyama, Koichi
× Iiyama, Koichi× Takamatsu, Hideki× Maruyama, Takeo |
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| 著者別表示 |
飯山, 宏一
× 飯山, 宏一
× 丸山, 武男
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| 提供者所属 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 金沢大学理工研究域電子情報学系 | |||||||||
| 書誌情報 |
IEEE Photonics Technology Letters 巻 22, 号 12, p. 932-934, 発行日 2010-01-01 |
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| ISSN | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||
| 収録物識別子 | 1041-1135 | |||||||||
| NCID | ||||||||||
| 収録物識別子タイプ | NCID | |||||||||
| 収録物識別子 | AA10681067 | |||||||||
| DOI | ||||||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||||||
| 関連識別子 | 10.1109/LPT.2010.2047389 | |||||||||
| 出版者 | ||||||||||
| 出版者 | IEEE = Institute of Electrical and Electronics Engineers | |||||||||
| 抄録 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||
| 内容記述 | A hole-injection-type and an electron-injection-type Si avalanche photodiode (APD) were fabricated by a standard 0.18-μm complementary metaloxidesemiconductor process. The avalanche amplifications are observed below 10 V of the bias voltage, and the maximum avalanche gains were 493 and 417 for the hole-injection-type and the electron-injection-type APDs, respectively. The maximum bandwidth is 3.4 GHz, and the gain-bandwidth products were 90 and 180 GHz for the hole-injection-type and the electron-injection-type APDs, respectively. © 2006 IEEE. | |||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||
| シリーズ | ||||||||||
| 関連名称 | 5445009 | |||||||||
