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10 GHz bandwidth of Si avalanche photodiode fabricated by standard 0.18 μm CMOS process
https://doi.org/10.24517/00009144
https://doi.org/10.24517/00009144af7b2c4e-b3e7-46fc-92c8-1b293a871f8e
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
TE-PR-IIYAMA-K-243.pdf (811.9 kB)
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.png)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||||||
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| 公開日 | 2017-10-03 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | 10 GHz bandwidth of Si avalanche photodiode fabricated by standard 0.18 μm CMOS process | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||
| 資源タイプ | journal article | |||||||||
| ID登録 | ||||||||||
| ID登録 | 10.24517/00009144 | |||||||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||||||
| 著者 |
Iiyama, Koichi
× Iiyama, Koichi× Shimotori, Toshiyuki× Gyobu, Ryoichi× Hishiki, Takuya× Maruyama, Takeo |
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| 著者別表示 |
飯山, 宏一
× 飯山, 宏一
× 丸山, 武男
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| 書誌情報 |
2014 OptoElectronics and Communication Conference, OECC 2014 and Australian Conference on Optical Fibre Technology, ACOFT 2014 p. 243-244, 発行日 2014-07-10 |
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| 出版者 | ||||||||||
| 出版者 | IEEE Computer Society | |||||||||
| 抄録 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||
| 内容記述 | Silicon avalanche photodiode was fabricated by O.lSjum CMOS process and was characterized. The bandwidth of 10GHz with the sensitivity of 0.1 AW was achieved with the electrode spacing of 0.84/μm and the detection area of 10x10/μm2. © 2014 Engineers Australia. | |||||||||
| 著者版フラグ | ||||||||||
| 出版タイプ | AM | |||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa | |||||||||
